超低静态电流：0.8μA（VIN=12V）
关断电流：0.01uA
输入范围：2.5V-20V
输出范围：1.8V-5V（间隔0.1V）
高精度：±2%
最大输出电流：500mA
使能控制
输出放电
输出短路保护
过热保护
低静态电流：5μA
输出电压范围：2.5V~5.6V（step 0.1V），12V
压差：900mV @VOUT=3.3V / IOUT=150mA
最大输出电流：150mA
输入电压范围：最大36V
过流保护
输入电压范围：1.4V-5.5V
输出电压范围：0.9V-3.3V，step 0.1V
输出电流：500mA
静态电流：典型50μA
关断电流：<1μA
PSRR：78db@1kHz，VOUT=1.8V
低输出噪声：29.6μV @VOUT=1.8V
低压差：120mV@IOUT=300mA，VOUT=3.3V
输出精度：1%
短路保护
热关断
超低静态电流: 2.5μA
低压差：50mV @ IOUT = 100mA @ VOUT =3.3V
最大输出电流：1A
输入电压范围：最大12V
低压差：80mV @ IOUT = 100mA, VOUT =5V
最大输出电流：300mA
输入电压范围：最大20V
超低静态电流：1.2μA
低压差：200mV@IOUT=100mA，VOUT =5V
工作电压（范围）:1.5~6V
静态电流：0.6μA
输出电流：0.3A
输出电压精度偏差：±2%
输出电压：1.8/2.8/3.0/3.3/3.6V
具有输出短路保护功能、过热保护功能
超低静态电流：600nA
待机电流：≤10nA
低压差：60mV @ IOUT = 100mA @ VOUT = 3.3V
输入电压范围：最大6.0V
折返限流保护
低静态电流：6μA
压差：500mV @ IOUT = 100mA @ VOUT =5V
输入电压范围：最大35V
推荐电容1-10μF
CV/CC调节误差±%5
无需光耦和431
内置线路补偿，更精确的CC调节
内置前沿消隐(LEB)
逐周期电流限制
输出过流保护
OTP保护
VCC欠压、过压保护
最大功率12W
满足六级能效标准
待机功耗小于75mW
宽输入交流范围：90Vac~265Vac
输出功率：3~5W
高达70KHz的工作频率
优良的系统ESD性能
可调输出线性补偿(3%~8%)
可调输入线性补偿
高效率准谐振工作模式
内置短路保护和输出过压保护
内置过温保护
CV/CC调节误差±5%
无需光耦和所有次级CV/CC控制电路
准谐振工作模式
内置线路补偿，用于更精确的CC调节
具有迟滞的VCC欠压锁定(UVLO)
输出功率可达15W
输出功率可达30W
内置1500V功率MOSFET
内置高压启动电路
内置线电压补偿和斜坡补偿
集成频率扩展技术
频率倍增功能改善磁场干扰（仅B版本有此功能）
PWM/PFM/Burst混合控制方式
空载功耗<50mW@230VAC
完善的保护功能（OCP、OLP、UVLO、VDD_OVP、OTP）
内置1200V功率MOSFET
频率倍增功能改善磁场干扰（仅CN12039B、CN12039D有此功能）
内部集成输入欠压保护功能（仅CN12039C、CN12039D有此功能）
内置1000V功率MOSFET
频率倍增功能改善磁场干扰（仅CN1102AD/F有此功能）
内部集成输入欠压保护功能（仅CN1102AE/F有此功能）
内部集成变压器初级主绕组短路保护功能
内置900V功率MOSFET
5.5V至38V宽输入工作范围
峰值效率：96%
空载静态电流：50μA
反馈基准电压：800mV ±2%
固定开关频率：600kHz
轻负载时的高效PSM模式
可持续输出1A电流
打嗝模式过流和输出短路保护
1.7ms内部软启动
5.5V-24V宽输入电压范围
30V输入过压保护
0.8A持续输出电流
效率高达93%
7μA空载工作电流
5V ±2% 固定输出电压
600kHz固定开关频率
轻载PFM节能模式
频率折返功能，可实现99%最大占空比
内部斜坡补偿，简化外部补偿电路
逐周期峰值电流与谷值电流限制，
实现更可靠的过流保护功能
打嗝模式的过流保护与短路保护
1ms内部软启动限制输入浪涌电流
3.8V-24V宽输入电压范围
15μA低静态电流
800mV ±2% 反馈参考电
FB短路保护，可有效保护后级电路
4.5V至18V宽输入工作范围
19V输入过压保护
最大输出电流：2A
效率：92%
空载静态电流：100uA
反馈基准电压：600mV ±2%
固定开关频率：800kHz
自适应COT控制
轻负载时的高效 PFM 模式
打嗝模式过流保护和短路保护
逐周期峰值和谷值电流限制
1ms内部软启动
热关断和UVLO
2.4V-6V输入电压范围
0.17mA静态电流
0.05uA关断电流
最大输出电压为24V
最大输出电流3.5A
效率高达90%
内置功率MOS，无需外部整流管
600mV±3%反馈基准电压
1MHz固定工作频率
轻载高效的PFM模式
0.6ms软启动，可限制启动时输出电压过冲
输出过压保护
逐周期电流限制保护
过热关断
2.6V 至 6.0V 输入电压范围
输出电流高达 1.4A
峰值效率高达 97%
内部软启动
1.5MHz 开关频率
输入欠压锁定
输入过压保护
SOT23-5 封装
效率可达95%
200mV±3%反馈基准电压
最大输出电压为25V
轻负载时的省电PFM模式
软启动限制输出过冲和浪涌电流
3.5A逐周期电流限制保护
OVP保护
推挽拓扑结构
高集成度，外围简单
内置24V/0.3ΩLDMOS
0.8A电流钳位限制，短路功耗不大的同时提高容性负载能力
2.8-9V输入电压范围
外部使能控制，可实现低待机功耗和休眠功能
可调开关频率：200K-1.8M，可选用小尺寸变压器
可持续短路保护、过温保护、欠压保护，自恢复
环境温度-40°C~+105°C
高集成度，外围简单，用于隔离变压器的推挽式驱动器
最大输出功率：3W
4-24V 输入电压范围
可调开关频率：200KHz-2MHz，可选用小尺寸变压器
占空比可调：最大50%
3合1 PMU：降压转换器、升压转换器、超级电容充电器
降压转换器5V-38V宽输入电压范围，42V过压保护
固定输出降压转换器：3.3V/800mA
固定输出升压转换器：12V/450mA（2.5V输入）
超级电容充电器：2.55V/60mA
效率高达91%
使能引脚，用于设置掉电阈值
外部信号控制充电器启用
打嗝模式的OCP保护
集成一路Buck，一路升压，一路超级电容充电器，实现小尺寸解决方案
Buck：5V到38V输入，固定输出3.3V/800mA
Boost：2.55V输入，输出12V/450mA，输出可通过外部电阻设置
超级电容充电器：2.55V/60mA，精度1%
轻载高效的PSM模式
电源系统掉电检测
掉电时自动切换到备电供电
集成2路降压，1路升压，1路超级电容充电器，实现小尺寸解决方案
固定输出降压转换器：3.3V/500mA
可调输出降压转换器：1V-5V输出范围
升压转换器：12V/300mA
超级电容充电器：2.5V/60mA
电源系统掉电检测与指示
掉电时自动切换到备用电源供电
防浪涌冲击能力
输出高压钳位
低电流软启动
宽电压输入60Vdc-1200Vdc
TO220-5封装
低功耗：静态电流125uA
宽输入电压范围：5-18V
可调电流限：支持最大输出1A电流
输入过压保护：22.5V
打嗝模式的过流保护
打嗝模式的短路保护
SOT23-6封装
通道1：可调电流限负载开关 通道2：160mA电流限制可调输出电压
通道2输出电压精度2%
双通道独立打嗝模式的过流保护
双通道独立打嗝模式的短路保护
支持SOP8与SOT23-6封装
适用于检测A型、AC型漏电信号
输入灵敏度高（典型值为4.95mV）
190uA低静态电流
宽工作电压范围（3V~5.5V）
环境温度范围(Ta=-40~+105°C)
宽交流输入电压范围50V~380V(50/60Hz)
可以直接驱动SCR，输出脉宽大于20ms
漏电检测阈值一致性好
良好的电磁干扰（EMC）防护能力
适用于检测AC型漏电信号
宽工作温度范围(Ta=-40~+105°C)
低功耗,静态电流<1uA
高检测精度
有效滤除电力线噪声
集成整流二极管
集成稳压二极管
外围器件少
宽功率范围：4.4V至40V
4.5A过流保护
低MOSFET导通电阻：Rhs =0.45Ω，Rls =0.25Ω
正向，反向，惯性或制动输出模式
适用于广泛的MCU控制逻辑
输入逻辑迟滞
宽功率范围：1.8V至16V
低待机电流：0.7uA
峰值限流保护：2.6A
宽功率范围：2.7~6V
低MOSFET导通电阻：Rhs=0.3Ω, Rls =0.15Ω
宽功率范围：2.5~6V
峰值限流保护：2.5A
低MOSFET导通电阻：Rhs=0.3Ω，Rls =0.15Ω
热关断以及过流保护
过流保护点2.5A
0.8A最大连续输出
高于3A的峰值电流能力
低MOSFET导通电阻：Rhs =0.6Ω，Rls =0.3Ω
宽功率范围：4V至24V
峰值限流保护：3.5A
低MOSFET导通电阻：Rhs =0.4Ω，Rls =0.2Ω
过流、过热关断
低MOSFET导通电阻：Rhs=0.4Ω，Rls=0.2Ω
3.5–40V的工作电压
峰值限流保护: 800mA
环境温度范围-40 ~ +105°C
兼容各类单片机逻辑输入信号
输入信号防噪声处理
电感性负载电流的反冲保护
有过温、过流保护电路，提高芯片可靠性
工作电压：6V至28V
大信号带宽：> 20MHz
3次谐波抑制：
> 40dBc @ 10M / 10Vpp / 50Ω负载
> 50dBc @ 5M / 10Vpp / 50Ω负载
> 60dBc @ 2M / 10Vpp / 50Ω负载
> 76dBc @ 500K / 10Vpp / 50Ω负载
2次谐波抑制：
> 55dBc @ 10M / 10Vpp / 50Ω负载
> 60dBc @ 5M / 10Vpp / 50Ω负载
> 70dBc @ 2M / 10Vpp / 50Ω负载
> 80dBc @ 500K / 10 Vpp /50Ω负载
工作电流外部设定，可数字控制
压摆率：500V/μs
最大差分输出：2倍工作电压-6V@50Ω负载
TTL / CMOS兼容
温度范围-40°C to+ 105°C
低功耗设计，典型条件下电流为6μA
为LCD驱动集成了缓冲放大器
支持读寄存器和显示RAM功能
内置OSC振荡电路，具备闪烁功能
集成上电复位电路
无需外部组件
I2C接口
与TTL / CMOS兼容
高EMC抗扰度
固定的1/4占空比模式，最多192点
低功耗设计，典型条件下电流为6uA
内置OSC电路
内部LCD对比度控制电路
接口：2线串口I2C
与TTL/CMOS兼容
工作电压：2.4V~5.5V
内部32KHz RC振荡器
外部32.768KHz晶体振荡器或256KHz外部时钟源
LCD应用：1/2或1/3偏压；1/2、1/3或1/4占空比
内部时基时钟源
2种可选蜂鸣器频率：2kHz或4kHz
内建时基发生器和WDT功能
时基或WDT溢出标志输出
8种时基/WDT时钟源频率选择
支持最大32×4 LCD显示
内建显示数据RAM：32×4-bit
读/写地址自动递增
VLCD引脚用于调节LCD工作电压
可调的1/8Duty、1/6Duty、1/4Duty
最大39*8=312Bit，内置Buffer AMP
内置复位、震荡电路
接口：2线串行接口
内置 EVR 电路
低功耗设计，典型情况下电流为5uA
高 EMC 抗扰度
兼容TTL/CMOS
可调的1/8Duty、1/4Duty
最大35*8=280Bit，内置Buffer AMP
显示方式可选：动态的1/2 和1/3偏置电压，1/4占空比模式，最多144段
定的1/4占空比模式，最多184点
固定的1/4占空比，1/3偏压模式，最多160点
固定的 1/4 Bias，1/8 Duty
35*8=280Bit，内置Buffer AMP
内置EVR电路
CPU最高频率可达200MHz
频率动态切换，有效降低功耗
内置加解密引擎
支持JATG在线调试
支持全局可屏蔽中断
内置1.5M SRAM
支持SPI，支持CPU从SPI口BOOT
支持UART以及调试功能
支持通用GPIO功能
支持32位计数器（定时器）功能
以太网芯片PHY，配有MDIO和RMII端口
支持DMA功能
配有硬件看门狗
一次性写入eFuse功能
国家电网双模(有线-无线)通信协议
静电保护（ESD）：A/B±15KV--人体模式（HBM）
总线允许挂接多达256个收发器
强大摆率限制有助于实现无差错数据传输
三态输出
SOP8封装
符合Q/GDW11179.11-2015电能表元器件技术规范
芯片特点
典型应用
订货信息
产品料号
封装
数量/编带
CN86LXXXDSR
DFN2x2-6
4000/盘
CN86LXXXTCR
SOT23-5
3000/盘
CN86LXXXATCR
CN86LXXXTGR
SOT23-3
CN86LXXXOGR
SOT89-3
1000/盘
CN86LXXXAOGR
025-58270802
021-61090382
中文/英文 
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