超低静态电流：0.8μA（VIN=12V）
关断电流：0.01uA
输入范围：2.8V-20V
输出范围：1.8V-5V（间隔0.1V）
高精度：±2%
最大输出电流：500mA
使能控制
输出放电
输出短路保护
过热保护
超低静态电流: 2.5μA
低压差：50mV @ IOUT = 100mA @ VOUT =3.3V
最大输出电流：1A
输入电压范围：最大12V
静态电流：2.5μA
输出电流：0.3A
输出电压精度偏差：±2%
输出电压：1.8/2.8/3.0/3.3/3.6/4.0/5.0V
具有输出短路保护功能、过热保护功能
输出电流：0.15A
工作电压（范围）:1.9~20V
输出电压：1.8/2.8/3.0/3.3/3.6/4.0/5.0V/5.6V
超低静态电流：1.2μA
低压差：200mV@IOUT=100mA，VOUT =3.3V
最大输出电流：300mA
输入电压范围：最大36V
工作电压（范围）:2.9~30V
静态电流：1.2μA
输出电流：0.5A
输出电压：2.8/3.0/3.3/3.6/4.0/5.0/5.6/12.0V
工作电压（范围）:1.5~6V
静态电流：0.6μA
输出电压：1.8/2.8/3.0/3.3/3.6V
超低静态电流：600nA
待机电流：≤10nA
低压差：60mV @ IOUT = 100mA @ VOUT = 3.3V
输入电压范围：最大6.0V
折返限流保护
宽输入交流范围：90Vac~265Vac
输出功率：3~5W
高达 70kHz 的工作频率
优良的系统 ESD 性能
可调输出线性补偿（3%~8%）
可调输入线性补偿
高效率准谐振工作模式
内置短路保护和输出过压保护
内置过温保护
CV/CC 调节误差±5%
无需光耦和所有次级 CV/CC 控制电路
准谐振工作模式
内置线路补偿，用于更精确的 CC 调节
内置前沿消隐(LEB）
逐周期电流限制
具有迟滞的 VCC 欠压锁定（UVLO）
输出功率可达15W
无需光耦和所有次级CV/CC 控制电路
内置线路补偿，用于更精确的CC 调节
具有迟滞的VCC 欠压锁定（UVLO）
输出功率可达30W
内置900V功率MOSFET
内置高压启动电路
内置线电压补偿和斜坡补偿
集成频率扩展技术
PWM/PFM/PSM 混合控制方式
空载功耗＜50mW@230VAC
完善的保护功能（OCP、OLP、UVLO、VDD OVP、OTP）
PWM/PFM/PSM混合控制方式
效率可达95%
200mV±3%反馈基准电压
1MHz固定工作频率
最大输出电压为25V
轻负载时的省电PFM模式
软启动限制输出过冲和浪涌电流
3.5A逐周期电流限制保护
OVP保护
过热关断
最大输出功率：3W
宽电压输入范围: 4~24V
可控开关频率范围：200kHz~2MHz
占空比可调：最大50%
过热保护、过流保护
4 in 1 PMU, 2-Bucks, 1-Boost, 1-SuperCap Charger
1-Channel Fixed-3.3V/500mA Output HV Buck
1-Channel Adjustable Output HV Buck
1-Channel 12V/300mA Output Boost at 2.5V Input
Linear Charger for Super Capacitor with 60mA Current
High Efficiency Pulse Skip Mode at Light Load
Power Down Detection and Index
Auto-alternated Boost Mode and Charger Mode
Hic-cup Mode OCP protections
Thermal Shutdown
低功耗,工作电流<10uA
高检测精度
有效滤除电力线噪声
集成整流二极管
集成稳压二极管
外围器件少
宽功率范围：2.7~6V
低MOSFET导通电阻：Rhs=0.3Ω, Rls =0.15Ω
正向，反向，惯性或制动输出模式
适用于广泛的MCU控制逻辑
输入逻辑迟滞
热关断以及过流保护
宽功率范围：2V 至 6V
0.8A 最大连续输出
高于 2A 的峰值电流能力
过流保护点 2.5A
低 MOSFET 导通电阻：Rhs =0.3Ω，Rls =0.15Ω
适用于广泛的 MCU 控制逻辑
宽功率范围：2.7V 至 6V
高于 3A 的峰值电流能力
热关断
0.8A最大连续输出
高于3A的峰值电流能力
低MOSFET导通电阻：Rhs =0.6Ω，Rls =0.3Ω
宽功率范围：4V 至 24V
1.5A 最大连续输出
高于 3.0A 的峰值电流能力
低 MOSFET 导通电阻：Rhs =0.4Ω，Rls =0.2 Ω
过流、过热关断
宽功率范围：4V至24V
高于3.0A的峰值电流能力低MOSFET导通电阻：
Rhs =0.4Ω，Rls =0.2Ω
推荐最大工作电流:450mA
工作温度范围-40 ~ +85℃
兼容各类单片机逻辑输入信号
输入信号防噪声处理
电感性负载电流的反冲保护
有过温、过流保护电路，提高芯片可靠性
5–36V 的工作电压。
最大工作电流:450mA
兼容各类单片机逻辑电平信号输入信号
PIN to PIN兼容THS6212
工作电压：6V至28V
大信号带宽：> 20MHz
谐波抑制
工作电流外部设定，可数字控制
压摆率：500 V/μs
最大差分输出：2倍工作电压-6V@50Ω负载
TTL / CMOS兼容
温度范围-40°C to +85°C
固定的 1/4 占空比模式，最多 160 点。
低功耗设计，典型条件下电流为 6uA。
内置 OSC 电路
内部 LCD 对比度控制电路
集成上电复位电路
无需外部组件
接口：2 线串口
与 TTL / CMOS 兼容
高 EMC 抗扰度
固定的 1/4 Bias，1/8 Duty 35*8=280Bit，内置 Buffer AMP
内置复位、震荡电路
接口：2 线式 I2C 串行接口
内置 EVR 电路
低功耗设计
固定的 1/4 占空比模式，最多 192 点
低功耗设计，典型条件下电流为 6uA
CPU最高频率可达200MHz
频率动态切换，有效降低功耗
内置加解密引擎
支持JATG在线调试
支持全局可屏蔽中断
内置1.5M SRAM
支持SPI，支持CPU从SPI口BOOT
支持UART以及调试功能
支持通用GPIO功能
支持32位计数器（定时器）功能
以太网芯片PHY，配有MDIO和RMII端口
支持DMA功能
配有硬件看门狗
一次性写入eFuse功能
国家电网双模(有线-无线)通信协议
静电保护（ESD）：A/B±15KV--人体模式（HBM）
总线允许挂接多达256个收发器
强大摆率限制有助于实现无差错数据传输
三态输出
SOP8封装
符合Q/GDW11179.11-2015电能表元器件技术规范
静电保护（ESD）： A/B ±15KV--人体模式（HBM）
总线允许挂接多达 256 个收发器
SOP8 封装
符合 Q/GDW 11179.11-2015 电能表用元器件技术规范
3.3V/5V 电源电压
增强摆率限制有助于降低输出EMI以及不匹配的终端连接引起的反射，实现500kbps的无误码数据传输
通信端口提供±15kV人体模式ESD保护
Fail-safe功能
具有1/8单位负载，多达256个收发器可挂接在同一总线上
采用8脚SO封装
芯片特点
典型应用
订货信息
产品料号
封装
数量/编带
CN8001BTER
SOT23-6L
3000/盘
025-58270802
021-61090382
中文/英文 
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